คาด Samsung Galaxy S8 จะมาพร้อมกับ RAM 8GB ใช้ชิปขนาด 10 นาโนเมตร

Samsung Galaxy S8 จะมาพร้อมกับแรมทีมากถึง 8GB ตัวแรกของโลก

เมื่อเร็วๆนี้ซัมซุุงได้เปิดตัว RAM ขนาด 8GB LPDDR4 ที่ใช้สำหรับ สมาร์ทโฟน และมีข่าวว่าซัมซุงก็เริ่มผลิตชิปที่มีมาตฐานการผลิตที่ 10 นาโนเมตร คาดการณ์ว่าทั้งสองสิ่งนี้จะถูกนำมาใช้กับ Samsung Galaxy S8 ซึ่งดูๆแล้วก็น่าจะเหมาะสมกับเลข 8 ที่มาพร้อมกับแรม 8GB งานนี้หากมีการเปิดตัวจริง คงจะชูโรงเรื่องเลข 8 กันเลยทีเดียว และคาดว่าน่าจะเปิดตัวต้นปี 2017 (ก่อนงาน Mobile World Congress 2017 ในเดือนมีนาคม หรือปลายกุมภาพันธ์)

สำหรับ RAM ขนาด 8GB LPDDR4 ใช้ชิป 16 Gigabit LPDDR4 จำนวน 4 ตัว ผลิตด้วยขบวนการ 10 นาโนเมตรซึ่งจะช่วยในเรื่องของพลังงาน ส่วนความเร็วอยู่ที่ความถี่สูงสุด 4266 Mbps

สำหรับชิปขนาด 10 นาโนเมตร จะมีประสิทธิภาพมากกว่าขนาด 14 นาโนเมตรอยู่ 27% กินไฟน้อยลง 40%  เพิ่มจำนวนชิปได้มากกว่าเดิม 30% ซึ่งอาจจะอยู่บน Snapdragon 830 และ Exynos 8895 รุ่นต่อไป ซึ่งคาดว่าน่าจะใช้กับ Samsung Galaxy S8 ทั้งสองรุ่น (จำหน่ายในกลุ่มประเทศที่ต่างกัน)

หากไม่มีอะไรผิดพลาด เชื่อว่าเราคงได้เห็นสองสิ่งนี้กับ Samsung Galaxy S8 อย่างแน่นอน และน่าจะเปิดตัวช่วงปลายเดือนกุมภาพันธ์ – ต้นเดือนมีนาคม ปี 2017 อย่างแน่นอน และตอนนี้ก็มีข่าวอีกด้วยว่าซัมซุงอาจจะหันไปใช้แบเตอรี่ของ LG แทน เพื่อสร้างความเชื่อมั่นกลับคืนมา ส่วนรายละเอียดหรือการยืนยันคงต้องรอให้ทางซุมซุงออกมาชี้แจงกับเรื่องนี้อีกที ตอนนี้สือต่างประเทศเห็นเขียนเรื่องแบตฯนี้เยอะพอสมควร น่าจะมีมูลอยู่บ้าง