Kioxia บริษัทผู้ผลิตหน่วยความจำแฟลชรายใหญ่ของญี่ปุ่น คาดการณ์ว่าความต้องการ NAND Memory จะเพิ่มขึ้นถึง 2.7 เท่าภายในปี 2028 โดยได้รับแรงหนุนจากการเติบโตของเทคโนโลยีปัญญาประดิษฐ์ (AI) ซึ่งจำเป็นต้องใช้พื้นที่จัดเก็บข้อมูลขนาดใหญ่และประสิทธิภาพสูง บริษัทจึงเตรียมขยายกำลังการผลิตและพัฒนาเทคโนโลยีการผลิตใหม่ ๆ เพื่อรองรับการเติบโตที่คาดการณ์นี้

เพื่อสนับสนุนการขยายตัวนี้ Kioxia ได้เริ่มการก่อสร้างโรงงาน Kitakami ในจังหวัด Iwate ซึ่งมีกำหนดเริ่มผลิตในฤดูใบไม้ร่วงปี 2025 หลังจากที่โครงการถูกเลื่อนจากปีที่แล้วเนื่องจากความต้องการหน่วยความจำลดลง โดยการผลิตใหม่นี้จะรวมถึงการขยายพื้นที่ cleanroom ที่โรงงาน Yokkaichi เพิ่มเติมเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการผลิต

รัฐบาลญี่ปุ่นยังได้สนับสนุนเงินอุดหนุนสูงถึง 1.64 พันล้านดอลลาร์สำหรับ Kioxia และพันธมิตร Western Digital เพื่อขยายกำลังการผลิตในญี่ปุ่น ตอบสนองต่อเป้าหมายของรัฐบาลในการฟื้นฟูอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และเสริมสถานะ Kioxia ในตลาด 3D NAND ระดับโลก

ที่มา – tomshardware.com

เพิ่มเติม

NAND Memory คือหน่วยความจำประเภทแฟลชที่ใช้เก็บข้อมูลได้โดยไม่ต้องพึ่งพาพลังงานไฟฟ้าตลอดเวลา นิยมใช้ในอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล เช่น SSD, สมาร์ทโฟน และการ์ดหน่วยความจำ จุดเด่นของ NAND Memory คือความเร็วในการอ่านและเขียนข้อมูลสูง และมีความทนทานในการใช้งานยาวนาน