บริษัท Rapidus ผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์รายใหญ่ของญี่ปุ่น ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาชิปต้นแบบทรานซิสเตอร์แบบ Gate-All-Around (GAA) ขนาด 2 นาโนเมตร พร้อมตรวจวัดคุณสมบัติทางไฟฟ้าได้สำเร็จที่โรงงาน IIM-1 (Innovative Integration for Manufacturing) ซึ่งถือเป็นอีกก้าวสำคัญในการเตรียมเข้าสู่การผลิตเชิงพาณิชย์ภายในปี 2027
โรงงาน IIM-1 ของ Rapidus ได้รับการออกแบบให้ทันสมัยที่สุดในญี่ปุ่น โดยนำกระบวนการผลิตแบบแผ่นเวเฟอร์เดี่ยว (single-wafer processing) มาใช้เต็มรูปแบบ ช่วยให้สามารถปรับแต่งกระบวนการได้อย่างละเอียดแบบเรียลไทม์และเก็บข้อมูลจำนวนมากเพื่อใช้ร่วมกับระบบ AI เพิ่มอัตราการผลิตและลดข้อผิดพลาด พร้อมกันนี้ยังติดตั้งเครื่องพิมพ์ลายแสง EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) ซึ่งเป็นเทคโนโลยีสำคัญในการผลิตทรานซิสเตอร์ระดับ 2nm ได้สำเร็จเมื่อเดือนเมษายนที่ผ่านมา
Rapidus ใช้เวลาเพียงไม่ถึง 3 ปีนับตั้งแต่เริ่มก่อสร้างโรงงานในเดือนกันยายน 2023 แล้วเสร็จห้องคลีนรูมภายในปี 2024 และสามารถติดตั้งอุปกรณ์กว่า 200 รายการภายในกลางปี 2025 โดยวันนี้ได้เปิดเผยความคืบหน้าล่าสุดในการเริ่มต้นสร้างต้นแบบทรานซิสเตอร์ 2nm และเข้าสู่ขั้นตอนการทดสอบคุณสมบัติ
บริษัทเตรียมเปิดตัวชุดพัฒนาเทคโนโลยี (Process Development Kit) สำหรับกระบวนการผลิต 2nm ให้กับลูกค้ากลุ่มแรกในไตรมาส 1 ปี 2026 เพื่อให้สามารถเริ่มทดลองออกแบบและผลิตต้นแบบของตนเองได้ทันที ก่อนเข้าสู่การผลิตจริงในปีถัดไป
Rapidus ก่อตั้งขึ้นเมื่อวันที่ 10 สิงหาคม 2022 โดยเป็นการร่วมทุนระหว่างบริษัทเทคโนโลยีชั้นนำของญี่ปุ่น เช่น Toyota, Sony, NTT, SoftBank, Kioxia, NEC และ Denso โดยได้รับการสนับสนุนจากรัฐบาลญี่ปุ่นในฐานะยุทธศาสตร์ระดับชาติ และสร้างระบบการผลิตที่ยืดหยุ่นทันสมัยผ่านบริการแบบ Rapid and Unified Manufacturing Service (RUMs) เพื่อฟื้นฟูและยกระดับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของประเทศให้สามารถแข่งขันกับผู้ผลิตระดับโลกอย่าง TSMC และ Samsung ได้อีกครั้ง
ที่มา – Rapidus