X
MODIFY: Technology News
Technology, Innovation, and Education เทคนิดการใช้งาน สมาร์ทโฟน คอมพิวเตอร์ เรื่องไอที

คาด Samsung Galaxy S8 จะมาพร้อมกับ RAM 8GB ใช้ชิปขนาด 10 นาโนเมตร

Samsung Galaxy S8 จะมาพร้อมกับแรมทีมากถึง 8GB ตัวแรกของโลก

เมื่อเร็วๆนี้ซัมซุุงได้เปิดตัว RAM ขนาด 8GB LPDDR4 ที่ใช้สำหรับ สมาร์ทโฟน และมีข่าวว่าซัมซุงก็เริ่มผลิตชิปที่มีมาตฐานการผลิตที่ 10 นาโนเมตร คาดการณ์ว่าทั้งสองสิ่งนี้จะถูกนำมาใช้กับ Samsung Galaxy S8 ซึ่งดูๆแล้วก็น่าจะเหมาะสมกับเลข 8 ที่มาพร้อมกับแรม 8GB งานนี้หากมีการเปิดตัวจริง คงจะชูโรงเรื่องเลข 8 กันเลยทีเดียว และคาดว่าน่าจะเปิดตัวต้นปี 2017 (ก่อนงาน Mobile World Congress 2017 ในเดือนมีนาคม หรือปลายกุมภาพันธ์)

สำหรับ RAM ขนาด 8GB LPDDR4 ใช้ชิป 16 Gigabit LPDDR4 จำนวน 4 ตัว ผลิตด้วยขบวนการ 10 นาโนเมตรซึ่งจะช่วยในเรื่องของพลังงาน ส่วนความเร็วอยู่ที่ความถี่สูงสุด 4266 Mbps

สำหรับชิปขนาด 10 นาโนเมตร จะมีประสิทธิภาพมากกว่าขนาด 14 นาโนเมตรอยู่ 27% กินไฟน้อยลง 40%  เพิ่มจำนวนชิปได้มากกว่าเดิม 30% ซึ่งอาจจะอยู่บน Snapdragon 830 และ Exynos 8895 รุ่นต่อไป ซึ่งคาดว่าน่าจะใช้กับ Samsung Galaxy S8 ทั้งสองรุ่น (จำหน่ายในกลุ่มประเทศที่ต่างกัน)

หากไม่มีอะไรผิดพลาด เชื่อว่าเราคงได้เห็นสองสิ่งนี้กับ Samsung Galaxy S8 อย่างแน่นอน และน่าจะเปิดตัวช่วงปลายเดือนกุมภาพันธ์ – ต้นเดือนมีนาคม ปี 2017 อย่างแน่นอน และตอนนี้ก็มีข่าวอีกด้วยว่าซัมซุงอาจจะหันไปใช้แบเตอรี่ของ LG แทน เพื่อสร้างความเชื่อมั่นกลับคืนมา ส่วนรายละเอียดหรือการยืนยันคงต้องรอให้ทางซุมซุงออกมาชี้แจงกับเรื่องนี้อีกที ตอนนี้สือต่างประเทศเห็นเขียนเรื่องแบตฯนี้เยอะพอสมควร น่าจะมีมูลอยู่บ้าง