ซัมซุงสามารถกลับเข้าสู่ตลาดหน่วยความจำสำหรับชิป AI ได้อีกครั้ง หลังจากหน่วยความจำ HBM3E รุ่นใหม่แบบ 12 ชั้นของบริษัท ผ่านการทดสอบคุณภาพจาก NVIDIA อย่างเป็นทางการ ซึ่งหมายความว่า ซัมซุงจะได้เป็นหนึ่งในซัพพลายเออร์หลักของ NVIDIA ร่วมกับ SK hynix และ Micron

ก่อนหน้านี้ ซัมซุงเคยพยายามผลักดัน HBM3 เข้าสู่ตลาด แต่ล้มเหลวเพราะมีปัญหาความร้อนและประสิทธิภาพไม่ถึงเป้า ทำให้ NVIDIA หันไปใช้ของคู่แข่งแทน แม้ซัมซุงจะพยายามส่ง HBM3E รุ่น 8 ชั้นเข้าไปใหม่ แต่ก็ยังไม่ผ่าน เพราะใช้เทคโนโลยี DRAM รุ่นเก่าที่เรียกว่า “1a DRAM”

หลังจากนั้น บริษัทจึงตัดสินใจออกแบบ DRAM ใหม่ทั้งหมด และทุ่มงบมหาศาลเพื่อพัฒนา HBM3E รุ่นปรับปรุง จนในที่สุดก็ผ่านมาตรฐานของ NVIDIA ได้สำเร็จ ซึ่งซัมซุงมองว่าความสำเร็จครั้งนี้ไม่ใช่แค่เรื่องธุรกิจ แต่คือศักดิ์ศรีของเทคโนโลยีเกาหลีใต้

“Recognition from Nvidia means its technology is back on track” (การได้รับการยอมรับจาก NVIDIA แสดงว่าเทคโนโลยีของซัมซุงกลับมาอยู่ในระดับแนวหน้าอีกครั้ง)

แม้ในตอนนี้คำสั่งซื้อจาก NVIDIA จะยังมีจำกัด เพราะมีพันธมิตรหลักอยู่แล้ว แต่ซัมซุงมั่นใจว่าจะมีบทบาทมากขึ้นในอนาคต โดยเฉพาะกับ HBM4 ที่บริษัทอ้างว่าสามารถทำความเร็วได้ถึง 11 Gbps เป็นรายแรกของโลก ด้วยเทคโนโลยี DRAM รุ่นใหม่ และชิป logic ขนาด 4nm ที่ผลิตจากโรงงานของตัวเอง

HBM4 จากซัมซุงยังมีโอกาสถูกนำไปใช้กับบริษัทอื่น เช่น AMD, Google และ Broadcom ซึ่งจะทำให้การแข่งขันในตลาดหน่วยความจำความเร็วสูงยิ่งทวีความดุเดือดขึ้นอีกครั้ง

HBM (High Bandwidth Memory) คือหน่วยความจำแบบ DRAM ความเร็วสูงที่ออกแบบให้ซ้อนกันในแนวตั้งหลายชั้น (3D-stacked) และเชื่อมต่อโดยตรงกับชิปประมวลผล เช่น GPU หรือ AI accelerator ผ่าน interposer เพื่อเพิ่มแบนด์วิดธ์และลดความหน่วงในการส่งข้อมูล สำหรับรุ่น HBM3E ซึ่งเป็นรุ่นที่พัฒนาต่อจาก HBM3 นั้น มีความเร็วในการส่งข้อมูลต่อพินอยู่ในช่วง 9 ถึง 11 Gbps และรองรับแบนด์วิดธ์รวมมากกว่า 1 เทราไบต์ต่อวินาทีต่อสแตก จึงตอบโจทย์การใช้งานกับระบบประมวลผลขนาดใหญ่ เช่น โมเดลภาษา (LLM), ปัญญาประดิษฐ์ และซูเปอร์คอมพิวเตอร์

ที่มา – wccftech.com