Samsung Electronics มีแผนที่จะเริ่มการผลิตจำนวนมาก (Mass Production) ของชิปหน่วยความจำแบนด์วิดธ์สูงรุ่นที่ 6 หรือ HBM4 ในเดือนหน้า (กุมภาพันธ์ 2026) เพื่อส่งมอบให้กับ Nvidia ผู้ผลิตชิปปัญญาประดิษฐ์รายใหญ่ ตามรายงานจากแหล่งข่าววงในที่เปิดเผยกับสำนักข่าว Reuters

รายละเอียดเชิงลึกและสถานการณ์การแข่งขัน

• กำหนดการผลิต: แหล่งข่าวระบุว่า Samsung จะเริ่มเดินสายพานการผลิต HBM4 ในเดือนกุมภาพันธ์นี้ ซึ่งเป็นการดำเนินการเพื่อเตรียมส่งมอบให้กับ Nvidia สำหรับใช้ในชิปสถาปัตยกรรมรุ่นถัดไปอย่าง “Rubin” (Vera Rubin Platform)
• ความสำเร็จในการทดสอบคุณภาพ: รายงานจากสื่อท้องถิ่น The Korea Economic Daily ระบุเพิ่มเติมว่า Samsung ได้ผ่านการทดสอบคุณสมบัติ (Qualification tests) ของชิป HBM4 กับทั้ง Nvidia และ AMD เรียบร้อยแล้ว ซึ่งเป็นขั้นตอนสำคัญก่อนเริ่มการจัดส่ง
• ปฏิกิริยาของตลาดหุ้น: ข่าวนี้ส่งผลให้หุ้นของ Samsung ปรับตัวขึ้นทันที 2.2% ในขณะที่หุ้นของคู่แข่งอย่าง SK Hynix ซึ่งเป็นผู้ครองส่วนแบ่งตลาดหลักในรุ่น HBM3 และ HBM3E ปรับตัวลดลง 2.9% ในการซื้อขายช่วงเช้า
• การปรับเปลี่ยนกลยุทธ์: ความเคลื่อนไหวนี้เป็นส่วนหนึ่งของแผนการแข่งขันเพื่อชิงส่วนแบ่งตลาดคืน หลังจากที่ก่อนหน้านี้ Samsung ประสบปัญหาความล่าช้าในการส่งมอบชิปรุ่น HBM3E จนส่งผลกระทบต่อผลประกอบการ
• ความเคลื่อนไหวของคู่แข่ง: ทางด้าน SK Hynix เคยระบุเมื่อเดือนตุลาคมว่าได้เสร็จสิ้นการเจรจาส่งมอบ HBM สำหรับปีหน้ากับลูกค้ารายใหญ่แล้ว และมีแผนจะเริ่มนำเวเฟอร์ซิลิคอนเข้าสู่โรงงานผลิตแห่งใหม่ (Fab M15X) ในเดือนหน้าเช่นกัน แต่ยังไม่มีการยืนยันกำหนดการผลิต HBM4 ที่ชัดเจน

ทั้ง Samsung และ SK Hynix มีกำหนดการแถลงผลประกอบการไตรมาสที่ 4 ในวันพฤหัสบดีนี้ ซึ่งคาดว่าจะมีการเปิดเผยรายละเอียดที่ชัดเจนเกี่ยวกับยอดคำสั่งซื้อและแผนการผลิต HBM4 อย่างเป็นทางการ

HBM4 (High Bandwidth Memory รุ่นที่ 6) เป็นมาตรฐานหน่วยความจำรุ่นล่าสุดที่พัฒนาต่อจาก HBM3E โดยใช้เทคโนโลยีการผลิตแบบวางซ้อนชิปในแนวตั้ง (Vertical Stacking) เพื่อเพิ่มความหนาแน่นของข้อมูลและขยายช่องทางรับส่งข้อมูล (Bandwidth) ให้กว้างขึ้นกว่ารุ่นก่อนหน้า ซึ่งถูกออกแบบมาเพื่อลดคอขวดในการประมวลผลของชิป AI สมรรถนะสูง โดยเน้นประสิทธิภาพการใช้พลังงานและการจัดการความร้อนที่ดีขึ้นสำหรับศูนย์ข้อมูล

ที่มา: Reuters