Intel เพิ่มอัตราผลิตชิปขนาด 18A จาก 50% เป็น 55% แซงหน้า Samsung แต่ยังตามหลัง TSMC

Intel ก้าวหน้าด้านกระบวนการผลิต 18A – แซงหน้า Samsung แต่ยังตามหลัง TSMC

มีรายงานจาก KeyBanc Capital Markets ว่า Intel ได้เพิ่มอัตราผลิต (yield rate) สำหรับกระบวนการผลิตชิปขั้นสูง 18A จาก 50% เป็น 55% ภายในเวลาเพียงไตรมาสเดียว ส่งผลให้สามารถแซงหน้าคู่แข่งอย่าง Samsung ที่อยู่ที่ประมาณ 40% ได้แล้ว แม้ยังคงตามหลัง TSMC ซึ่งอยู่ที่ระดับ 65% ก็ตาม

Intel วางแผนใช้กระบวนการ 18A (18 Ångström หรือเทียบเท่า 1.8 นาโนเมตร) สำหรับผลิตชิปรุ่นใหม่ในกลุ่ม Panther Lake โดยเฉพาะชิปพีซีและโน้ตบุ๊กที่จะออกในปี 2026 ซึ่งจะใช้เทคโนโลยี RibbonFET (รูปแบบทรานซิสเตอร์ใหม่) และ PowerVia (การจ่ายไฟจากด้านหลังของชิป) เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและลดการใช้พลังงาน

สำหรับกระบวนการผลิตของแต่ละบริษัทในระดับใกล้เคียงกัน มีดังนี้:

• Intel 18A: เทคโนโลยีของ Intel ที่ใช้ทรานซิสเตอร์แบบ RibbonFET พร้อมระบบจ่ายไฟ PowerVia มีความหนาแน่นและประสิทธิภาพสูงกว่ารุ่นก่อนหน้า เช่น Intel 3 โดยสามารถเพิ่มความเร็วได้ 25% หรือใช้พลังงานน้อยลง 36% แล้วแต่การใช้งาน
• Samsung SF2: คือกระบวนการผลิตระดับ 2 นาโนเมตร (SF ย่อจาก Samsung Foundry) ที่ใช้เทคโนโลยี GAA (Gate-All-Around) เช่นเดียวกัน แต่ Yield ยังอยู่ที่ประมาณ 40% ตามการประเมินของนักวิเคราะห์
• TSMC N2: เทคโนโลยี 2 นาโนเมตรของ TSMC ซึ่งถือเป็นผู้นำในอุตสาหกรรม มีอัตราผลิตสูงถึง 65% ซึ่งยังเป็นระดับที่ Intel และ Samsung ยังตามไม่ทันในปัจจุบัน

Intel ตั้งเป้าหมายว่าจะเพิ่มอัตราผลิต 18A ให้ถึง 70% ภายในสิ้นปี 2025 เพื่อเข้าสู่การผลิตในระดับปริมาณมาก (High Volume Manufacturing – HVM) และเตรียมความพร้อมสำหรับกระบวนการ 14A ที่จะเปิดให้ลูกค้าภายนอกใช้งานได้ในอนาคต

แม้จะยังตามหลัง TSMC แต่การปรับตัวของ Intel ในครั้งนี้ถือเป็นสัญญาณเชิงบวกว่า “Team Blue” เริ่มกลับมาแข่งในสนามเทคโนโลยีการผลิตชิประดับลึกได้อีกครั้ง หลังจากเสียส่วนแบ่งตลาดให้คู่แข่งในช่วงหลายปีที่ผ่านมา

ที่มา – wccftech.com