Samsung พลิกเกมได้สำเร็จ หลังผ่านคุณสมบัติ HBM3E จาก NVIDIA เตรียมบุกตลาด HBM4 ต่อทันที
ซัมซุงสามารถกลับเข้าสู่ตลาดหน่วยความจำสำหรับชิป AI ได้อีกครั้ง หลังจากหน่วยความจำ HBM3E รุ่นใหม่แบบ 12 ชั้นของบริษัท ผ่านการทดสอบคุณภาพจาก NVIDIA อย่างเป็นทางการ ซึ่งหมายความว่า ซัมซุงจะได้เป็นหนึ่งในซัพพลายเออร์หลักของ NVIDIA ร่วมกับ SK hynix และ Micron
ก่อนหน้านี้ ซัมซุงเคยพยายามผลักดัน HBM3 เข้าสู่ตลาด แต่ล้มเหลวเพราะมีปัญหาความร้อนและประสิทธิภาพไม่ถึงเป้า ทำให้ NVIDIA หันไปใช้ของคู่แข่งแทน แม้ซัมซุงจะพยายามส่ง HBM3E รุ่น 8 ชั้นเข้าไปใหม่ แต่ก็ยังไม่ผ่าน เพราะใช้เทคโนโลยี DRAM รุ่นเก่าที่เรียกว่า “1a DRAM”
หลังจากนั้น บริษัทจึงตัดสินใจออกแบบ DRAM ใหม่ทั้งหมด และทุ่มงบมหาศาลเพื่อพัฒนา HBM3E รุ่นปรับปรุง จนในที่สุดก็ผ่านมาตรฐานของ NVIDIA ได้สำเร็จ ซึ่งซัมซุงมองว่าความสำเร็จครั้งนี้ไม่ใช่แค่เรื่องธุรกิจ แต่คือศักดิ์ศรีของเทคโนโลยีเกาหลีใต้
“Recognition from Nvidia means its technology is back on track” (การได้รับการยอมรับจาก NVIDIA แสดงว่าเทคโนโลยีของซัมซุงกลับมาอยู่ในระดับแนวหน้าอีกครั้ง)
แม้ในตอนนี้คำสั่งซื้อจาก NVIDIA จะยังมีจำกัด เพราะมีพันธมิตรหลักอยู่แล้ว แต่ซัมซุงมั่นใจว่าจะมีบทบาทมากขึ้นในอนาคต โดยเฉพาะกับ HBM4 ที่บริษัทอ้างว่าสามารถทำความเร็วได้ถึง 11 Gbps เป็นรายแรกของโลก ด้วยเทคโนโลยี DRAM รุ่นใหม่ และชิป logic ขนาด 4nm ที่ผลิตจากโรงงานของตัวเอง
HBM4 จากซัมซุงยังมีโอกาสถูกนำไปใช้กับบริษัทอื่น เช่น AMD, Google และ Broadcom ซึ่งจะทำให้การแข่งขันในตลาดหน่วยความจำความเร็วสูงยิ่งทวีความดุเดือดขึ้นอีกครั้ง
HBM (High Bandwidth Memory) คือหน่วยความจำแบบ DRAM ความเร็วสูงที่ออกแบบให้ซ้อนกันในแนวตั้งหลายชั้น (3D-stacked) และเชื่อมต่อโดยตรงกับชิปประมวลผล เช่น GPU หรือ AI accelerator ผ่าน interposer เพื่อเพิ่มแบนด์วิดธ์และลดความหน่วงในการส่งข้อมูล สำหรับรุ่น HBM3E ซึ่งเป็นรุ่นที่พัฒนาต่อจาก HBM3 นั้น มีความเร็วในการส่งข้อมูลต่อพินอยู่ในช่วง 9 ถึง 11 Gbps และรองรับแบนด์วิดธ์รวมมากกว่า 1 เทราไบต์ต่อวินาทีต่อสแตก จึงตอบโจทย์การใช้งานกับระบบประมวลผลขนาดใหญ่ เช่น โมเดลภาษา (LLM), ปัญญาประดิษฐ์ และซูเปอร์คอมพิวเตอร์
ที่มา – wccftech.com
Leave a Reply