Samsung ประกาศการความคืบหน้าการผลิตและจำหน่าย HBM4
Samsung Electronics ผู้นำด้านเทคโนโลยีหน่วยความจำขั้นสูง ประกาศเริ่มการผลิตจำนวนมาก (Mass Production) สำหรับหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูงรุ่นที่ 6 หรือ HBM4 และได้เริ่มส่งมอบผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์ให้แก่ลูกค้าแล้ว ซึ่งถือเป็นความสำเร็จครั้งแรกในอุตสาหกรรมที่ช่วยให้บริษัทก้าวขึ้นเป็นผู้นำในตลาด HBM4 อย่างรวดเร็ว
การพัฒนาในครั้งนี้ Samsung ได้ใช้กระบวนการผลิต DRAM ระดับ 10 นาโนเมตรรุ่นที่ 6 (1c) ซึ่งเป็นเทคโนโลยีที่ทันสมัยที่สุด ร่วมกับกระบวนการผลิต Logic 4 นาโนเมตร สำหรับฐานของชิป (Base Die) เพื่อให้ได้ผลผลิต (Yield) ที่เสถียรและมีประสิทธิภาพระดับสูงสุดตั้งแต่เริ่มต้นการผลิต โดยไม่ต้องผ่านกระบวนการออกแบบใหม่เพิ่มเติม ซึ่งการเลือกใช้โหนดการผลิตที่ล้ำสมัยนี้ช่วยให้บริษัทสามารถรองรับความต้องการที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วในด้านประสิทธิภาพการประมวลผลสำหรับศูนย์ข้อมูลยุคถัดไป
Sang Joon Hwang รองประธานบริหารและหัวหน้าฝ่ายพัฒนาหน่วยความจำของ Samsung Electronics ระบุว่า บริษัทได้ก้าวข้ามวิธีการแบบเดิมด้วยการนำโหนดขั้นสูงอย่าง 1c DRAM และกระบวนการ 4nm มาใช้ เพื่อให้มั่นใจว่าจะมีประสิทธิภาพเพียงพอต่อความต้องการที่เพิ่มขึ้นของลูกค้าในเวลาที่ต้องการ
ประสิทธิภาพและมาตรฐานใหม่ของเทคโนโลยีหน่วยความจำ
Samsung HBM4 กำหนดมาตรฐานใหม่ด้วยคุณสมบัติทางเทคนิคที่โดดเด่นดังนี้
- ความเร็วในการประมวลผล: ให้ความเร็วคงที่ที่ 11.7 กิกะบิตต่อวินาที (Gbps) ซึ่งสูงกว่ามาตรฐานอุตสาหกรรมที่ 8Gbps ถึง 46% และสามารถเร่งความเร็วได้สูงสุดถึง 13 Gbps เพื่อลดคอขวดของข้อมูลในโมเดล AI ที่มีขนาดใหญ่ขึ้น
- แบนด์วิดท์: มีแบนด์วิดท์หน่วยความจำรวมต่อหนึ่งสแต็กสูงสุดที่ 3.3 เทราไบต์ต่อวินาที (TB/s) ซึ่งเพิ่มขึ้นถึง 2.7 เท่าเมื่อเทียบกับรุ่น HBM3E
- ความจุ: นำเสนอเทคโนโลยีการวางซ้อนชิป 12 ชั้น (12-layer) ในความจุตั้งแต่ 24GB ถึง 36GB และมีแผนจะขยายเป็น 16 ชั้นเพื่อให้ได้ความจุสูงถึง 48GB ในอนาคต
- การจัดการพลังงานและความร้อน: ปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานดีขึ้น 40% ผ่านเทคโนโลยี Low-voltage TSV และการเพิ่มประสิทธิภาพเครือข่ายจ่ายไฟ (PDN) พร้อมทั้งเพิ่มความทนทานต่อความร้อน 10% และประสิทธิภาพการระบายความร้อน 30% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า
Samsung มุ่งเน้นการบูรณาการเทคโนโลยีระหว่างธุรกิจ Foundry และ Memory ผ่านระบบ Design Technology Co-Optimization (DTCO) เพื่อรักษามาตรฐานคุณภาพและผลผลิตสูงสุด นอกจากนี้ บริษัทยังมีแผนที่จะขยายความร่วมมือทางเทคนิคกับผู้ผลิต GPU ระดับโลกและผู้ให้บริการ Hyperscaler ที่เน้นการพัฒนา ASIC รุ่นถัดไป
สำหรับเป้าหมายทางธุรกิจ Samsung คาดการณ์ว่ายอดขาย HBM ในปี 2026 จะเพิ่มขึ้นมากกว่า 3 เท่า เมื่อเทียบกับปี 2025 โดยบริษัทมีแผนที่จะเริ่มส่งตัวอย่าง HBM4E ในช่วงครึ่งหลังของปี 2026 และจะเริ่มส่งมอบตัวอย่าง Custom HBM ให้กับลูกค้าตามข้อมูลเฉพาะที่ต้องการในปี 2027
HBM4 (High Bandwidth Memory รุ่นที่ 4) คือหน่วยความจำ DRAM ประสิทธิภาพสูงที่ใช้วิธีการนำชิปมาวางซ้อนกันเป็นชั้นในแนวตั้ง (3D Stacking) เพื่อเพิ่มความจุและความเร็วในการส่งข้อมูลในพื้นที่ที่จำกัด โดยมีจุดเด่นอยู่ที่การขยายช่องทางเดินข้อมูล (Bus Width) ให้กว้างขึ้นมหาศาลถึง 2,048-bit ซึ่งมากกว่า RAM DDR5 ทั่วไปหลายสิบเท่า ช่วยให้สามารถส่งข้อมูลได้เร็วระดับเทราไบต์ต่อวินาที (TB/s) อีกทั้งยังถูกติดตั้งอยู่บนแพ็คเกจเดียวกับชิปประมวลผล (GPU/ASIC) เพื่อลดระยะห่างในการรับส่งข้อมูล ส่งผลให้มีความหน่วงต่ำและประหยัดพลังงานมากกว่าเดิม จึงกลายเป็นหัวใจสำคัญสำหรับการรันโมเดล AI ขนาดใหญ่และระบบประมวลผลในศูนย์ข้อมูลยุคใหม่
ที่มา: Samsung Newsroom
Leave a Reply